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PT100MF1MP1
■ Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Emitter-collector voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
Soldering temperature *1
Symbol
V CEO
V ECO
I C
P C
Topr
Tstg
Tsol
Rating
35
6
20
75
-30 to +85
-40 to+ 95
240
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
*
1 10 s (MAX.) see reflow profile on page 8.
■ Electro-optical Charactertistics
(Ta = 25°C)
Parameter
Collector current
Dark current
Symbol
I C
I CEO
Conditions *1
Ee = 0.01 mW/cm 2 , V CE = 5 V
Ee = 0, V CE = 10 V
MIN.
0.2
–
TYP.
–
–
MAX.
1.2
1.0
Unit
mA
μA
Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat)
Ee = 1
mW/cm 2 ,
Ic = 0.8 mA
–
–
1.0
V
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-collector breakdown voltage
Peak sensitivity wavelength
Response time (Rise)
Response time (Fall)
Half intensity angle
BV CEO
BV ECO
λ p
tr
tf
Δθ
I C = 0.1 mA, Ee = 0
I E = 0.01 mA, Ee = 0
–
V CE = 2 V, I C = 5 mA,
RL = 100 Ω
–
35
6
–
–
–
–
–
–
860
400
300
±15
–
–
–
2,000
1,500
–
V
V
nm
μs
μs
°
* 1 Ee: Illuminance by CIE standard light source A (tungsten lamp)
Sheet No.: D1-A01601EN
3
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